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    • 二級承修承裝承試類資質(zhì)主要試驗(yàn)設(shè)備配置表

      二級承修承裝承試類資質(zhì)主要試驗(yàn)設(shè)備配置表

      更新時(shí)間:2020-09-12

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      直流高壓發(fā)生器廠家 二級承修承裝承試類資質(zhì)主要試驗(yàn)設(shè)備配置表采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏

    • 一級承修承裝承試類資質(zhì)主要試驗(yàn)設(shè)備配置表

      一級承修承裝承試類資質(zhì)主要試驗(yàn)設(shè)備配置表

      更新時(shí)間:2020-09-12

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      直流高壓發(fā)生器廠家 一級承修承裝承試類資質(zhì)主要試驗(yàn)設(shè)備配置表采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊

    • 110kV及以上電壓等級項(xiàng)目的預(yù)防性試驗(yàn)及交接驗(yàn)

      110kV及以上電壓等級項(xiàng)目的預(yù)防性試驗(yàn)及交接驗(yàn)

      更新時(shí)間:2020-09-12

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      直流高壓發(fā)生器廠家 110kV及以上電壓等級項(xiàng)目的預(yù)防性試驗(yàn)及交接驗(yàn)收常用實(shí)驗(yàn)設(shè)備采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性

    • 35kV高電壓試驗(yàn)設(shè)備常用

      35kV高電壓試驗(yàn)設(shè)備常用

      更新時(shí)間:2020-09-12

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      直流高壓發(fā)生器廠家 35kV高電壓試驗(yàn)設(shè)備常用配置采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接

    • 10kV配電系統(tǒng)的預(yù)防性試驗(yàn)配電施工

      10kV配電系統(tǒng)的預(yù)防性試驗(yàn)配電施工

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      直流高壓發(fā)生器廠家 10kV配電系統(tǒng)的預(yù)防性試驗(yàn)配電施工項(xiàng)目交接驗(yàn)收常用試驗(yàn)設(shè)備采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性

    • 承裝(修、試)一級試驗(yàn)設(shè)備配置明細(xì)

      承裝(修、試)一級試驗(yàn)設(shè)備配置明細(xì)

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      直流高壓發(fā)生器廠家 承裝(修、試)一級試驗(yàn)設(shè)備配置明細(xì)采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離

    • 申報(bào)承試二級資質(zhì)所需設(shè)備

      申報(bào)承試二級資質(zhì)所需設(shè)備

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      直流高壓發(fā)生器廠家 申報(bào)承試二級資質(zhì)所需設(shè)備明細(xì)表采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接

    • 申報(bào)承試三級資質(zhì)所需設(shè)備

      申報(bào)承試三級資質(zhì)所需設(shè)備

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      直流高壓發(fā)生器廠家 申報(bào)承試三級資質(zhì)所需設(shè)備明細(xì)表采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接

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